LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4441MPMSE Сравнение

Это подробное сравнение LTC4446EMS8E#PBF и LTC4441MPMSE предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LTC4446EMS8E#PBF

+БОМ

8802 ПКС | Компания Analog Devices Inc.
LTC4441MPMSE

+БОМ

8493 ПКС | Компания Analog Devices Inc.
Пакет MSOP-8 MSOP-10
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC GATE DRVR LOW-SIDE 10MSOP
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Low-Side
Channel Type Independent Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 5V ~ 25V
Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V 1.8V, 2V
Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A 6A, 6A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns 13ns, 8ns
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -55°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V -
Модель сравнения : LTC4446EMS8E#PBF LTC4441MPMSE

+БОМ RFQ