LTC4449IDCB vs LTC4449EDCB

Это подробное сравнение LTC4449IDCB и LTC4449EDCB предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LTC4449IDCB

+БОМ

1200 ПКС | Компания Analog Devices Inc.
LTC4449EDCB

+БОМ

5070 ПКС | Компания Analog Devices Inc.
Пакет 8-WFDFN Exposed Pad 8-WFDFNExposedPad
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
ProductStatus Obsolete Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4V ~ 6.5V 4V ~ 6.5V
LogicVoltage-VILVIH 3V, 6.5V 3V, 6.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 3.2A, 4.5A 3.2A, 4.5A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 42 V 42 V
Rise/FallTime(Typ) 8ns, 7ns 8ns, 7ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : LTC4449IDCB LTC4449EDCB

+БОМ RFQ