MBR30100CT
Тайваньская корпорация полупроводников
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 7248 ПКС
- Series
- Диоды - Исправители - Диодные массивы
Это подробное сравнение MBR30100CT и MBR30100CTF-G1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
Тайваньская корпорация полупроводников
Включенные диоды
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | MBR30100CT | MBR30100CTF-G1 |
|---|---|---|
| Part Status | Active | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | Schottky | - |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V | 100 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 30A | - |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940 mV @ 30 A | 850 mV @ 15 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 100 V | 100 µA @ 100 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |
| Base Product Number | MBR30100 | - |
| Diode Type | - | Schottky |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | - | 15A |