MBRF20150CT vs MBRF200200R Сравнение

Это подробное сравнение MBRF20150CT и MBRF200200R предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MBRF20150CT

+БОМ

17584 ПКС | Тайваньская корпорация полупроводников
MBRF200200R

+БОМ

6348 ПКС | полупроводника GeneSiC
Пакет TO-220-3 TO-244AB
Описание DIODE SCHOTTKY 150V 20A ITO220AB DIODE SCHOTTKY 200V 100A TO244AB
Supplier Taiwan Semiconductor Corporation GeneSiC Semiconductor
Part Status Active Obsolete
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Anode
Diode Type Schottky Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 150 V 200 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 20A 100A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.05 V @ 20 A 920 mV @ 100 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 150 V 1 mA @ 200 V
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Mounting Type Through Hole Chassis Mount
Модель сравнения : MBRF20150CT MBRF200200R

+БОМ RFQ