MC33172DR2G vs MC33151DG

Это подробное сравнение MC33172DR2G и MC33151DG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33172DR2G

+БОМ

1211 ПКС | Онсеми
MC33151DG

+БОМ

9003 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8
Описание MC33151 - HIGH SPEED DUAL MOSFET
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose -
NumberofCircuits 2 -
SlewRate 2.1V/µs -
GainBandwidthProduct 1.8 MHz -
Current-InputBias 20 nA -
Voltage-InputOffset 2 mV -
Current-Supply 220µA (x2 Channels) -
Current-Output/Channel 27 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 44 V -
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C -
MountingType Surface Mount -
Модель сравнения : MC33172DR2G MC33151DG

+БОМ RFQ