MC33179DR2G vs MC33151D

Это подробное сравнение MC33179DR2G и MC33151D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33179DR2G

+БОМ

4448 ПКС | Онсеми
MC33151D

+БОМ

6144 ПКС | Онсеми
Пакет 8-SOIC
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration - Low-Side
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 2
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 6.5V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1.5A, 1.5A
InputType - Inverting
Rise/FallTime(Typ) - 31ns, 32ns
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType General Purpose -
NumberofCircuits 4 -
SlewRate 2V/µs -
GainBandwidthProduct 5 MHz -
Current-InputBias 100 nA -
Voltage-InputOffset 150 µV -
Current-Supply 1.7mA (x4 Channels) -
Current-Output/Channel 100 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 4 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V -
Модель сравнения : MC33179DR2G MC33151D

+БОМ RFQ