MC33883HEGR2 vs MC33883DWR2

Это подробное сравнение MC33883HEGR2 и MC33883DWR2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33883HEGR2

+БОМ

4912 ПКС | Компания NXP USA Inc.
MC33883DWR2

+БОМ

2110 ПКС | Компания NXP USA Inc.
Пакет SOIC-20 20-SOIC
Описание FULL BRIDGE BASED MOSFET DRIVER IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
ProductStatus - Obsolete
DrivenConfiguration Active Half-Bridge
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 4
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 5.5V ~ 28V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1A, 1A
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 55 V
Rise/FallTime(Typ) - 80ns, 80ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Series Bulk -
Модель сравнения : MC33883HEGR2 MC33883DWR2

+БОМ RFQ