MC34151DR2G vs MC34129EF

Это подробное сравнение MC34151DR2G и MC34129EF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC34151DR2G

+БОМ

1538 ПКС | Онсеми
MC34129EF

+БОМ

7432 ПКС | Компания NXP USA Inc.
Пакет SOIC-8 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC CTLR CURRENT MODE 14-SOIC
ProductStatus Active Obsolete
Applications - Telecommunications
Current-Supply - 2.5mA
Voltage-Supply 6.5V ~ 18V 4V ~ 12V
OperatingTemperature 0°C ~ 150°C (TJ) 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
DrivenConfiguration Low-Side -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.5A, 1.5A -
InputType Inverting -
Rise/FallTime(Typ) 31ns, 32ns -
Модель сравнения : MC34151DR2G MC34129EF

+БОМ RFQ