MC34152DR2G vs MC34151DR2

Это подробное сравнение MC34152DR2G и MC34151DR2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC34152DR2G

+БОМ

2681 ПКС | Онсеми
MC34151DR2

+БОМ

8823 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Low-Side Low-Side
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 6.1V ~ 18V 6.5V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.6V 0.8V, 2.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.5A, 1.5A 1.5A, 1.5A
InputType Non-Inverting Inverting
Rise/FallTime(Typ) 36ns, 32ns 31ns, 32ns
OperatingTemperature 0°C ~ 150°C (TJ) 0°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : MC34152DR2G MC34151DR2

+БОМ RFQ