MCP1406-E/SN vs MCP14E3-E/SL

Это подробное сравнение MCP1406-E/SN и MCP14E3-E/SL предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MCP1406-E/SN

+БОМ

2955 ПКС | Технология микрочипов
MCP14E3-E/SL

+БОМ

5813 ПКС | Технология микрочипов
Пакет 8-SOIC 8-SOIC
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side Low-Side
NumberofDrivers 1 2
Voltage-Supply 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V
InputType Inverting Inverting
MountingType Surface Mount Surface Mount
ChannelType Single -
GateType IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.4V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 6A, 6A -
Rise/FallTime(Typ) 20ns, 20ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) -
Модель сравнения : MCP1406-E/SN MCP14E3-E/SL

+БОМ RFQ