MCP14700T-E/MF vs MCP1406-E/MFVAO Сравнение

Это подробное сравнение MCP14700T-E/MF и MCP1406-E/MFVAO предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MCP14700T-E/MF

+БОМ

1228 ПКС | Технология микрочипов
MCP1406-E/MFVAO

+БОМ

2284 ПКС | Технология микрочипов
Пакет DFN-8 DFN-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Low-Side
Channel Type Independent Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A 6A, 6A
Input Type Non-Inverting Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 10ns, 10ns 20ns, 20ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 36 V -
Модель сравнения : MCP14700T-E/MF MCP1406-E/MFVAO

+БОМ RFQ