MCP6562-E/SN vs MCP6562T-E/SNVAO Сравнение

Это подробное сравнение MCP6562-E/SN и MCP6562T-E/SNVAO предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MCP6562-E/SN

+БОМ

6410 ПКС | Технология микрочипов
MCP6562T-E/SNVAO

+БОМ

6592 ПКС | Технология микрочипов
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC COMP DUAL 1.8V PP 8-SOIC IC COMP DUAL 1.8V PP 8-SOIC
Supplier - Microchip Technology
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Active
Type General Purpose General Purpose
Number of Elements 2 2
Output Type CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL
Voltage - Supply, Single/Dual (±) 1.8V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V
Voltage - Input Offset (Max) 10mV @ 5.5V 10mV @ 5.5V
Current - Input Bias(Max) 1pA @ 5.5V 1pA @ 5.5V
Current - Output (Typ) 50mA 50mA
Current - Quiescent (Max) 130µA 130µA
CMRRPSRR(Typ) 66dB CMRR, 70dB PSRR 66dB CMRR, 70dB PSRR
Propagation Delay(Max) 80ns 80ns
Hysteresis 5mV 5mV
Operating Temperature -40°C ~ 125°C -40°C ~ 125°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : MCP6562-E/SN MCP6562T-E/SNVAO

+БОМ RFQ