MJD45H11RLG vs MJD45H11TM

Это подробное сравнение MJD45H11RLG и MJD45H11TM предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

MJD45H11RLG

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
10534 ПКС
Package
TO-252-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

MJD45H11TM

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
3736 ПКС
Package
TO-252-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MJD45H11RLG MJD45H11TM
Supplier onsemi onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 8 A 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max) 1µA 10µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 4A, 1V 40 @ 4A, 1V
Power - Max 1.75 W 1.75 W
Frequency - Transition 90MHz 40MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ