MJD45H11T4 vs MJD45H11RL

Это подробное сравнение MJD45H11T4 и MJD45H11RL предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MJD45H11T4

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
3019 ПКС
Package
TO-252-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

MJD45H11RL

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
7292 ПКС
Package
TO-252-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MJD45H11T4 MJD45H11RL
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 8 A 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max) 10µA 1µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 4A, 1V 60 @ 2A, 1V
Power - Max 20 W 20 W
Frequency - Transition - 90MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ) -
Compare RFQ