MMBFJ108 vs MMBFJ212

Это подробное сравнение MMBFJ108 и MMBFJ212 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

MMBFJ108

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
9924 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - JFET
+БОМ RFQ
Part B

MMBFJ212

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
7915 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBFJ108 MMBFJ212
Supplier onsemi onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 25 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 80 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 3 V @ 10 nA -
Rds On 8 Ohms -
Power - Max 350 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Transistor Type - N-Channel JFET
Current Rating (Amps) - 40mA
Voltage - Rated - 25 V
Compare RFQ