MMBFJ108 vs MMBFJ212

Это подробное сравнение MMBFJ108 и MMBFJ212 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MMBFJ108

+БОМ

9924 ПКС | Онсеми
MMBFJ212

+БОМ

7915 ПКС | Онсеми
Пакет TO-236-3 TO-236-3
Описание JFET N-CH 25V 350MW SSOT3 JFET N-CH 25V 40MA SOT23
Supplier onsemi onsemi
ProductStatus Active Obsolete
FETType N-Channel -
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 25 V -
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 80 mA @ 15 V -
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 3 V @ 10 nA -
Resistance-RDS(On) 8 Ohms -
Power-Max 350 mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
TransistorType - N-Channel JFET
CurrentRating(Amps) - 40mA
Voltage-Rated - 25 V
Модель сравнения : MMBFJ108 MMBFJ212

+БОМ RFQ