MMBFJ176 vs MMBFJ175LT1G

Это подробное сравнение MMBFJ176 и MMBFJ175LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ176

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
7683 ПКС
Series
Транзисторы - JFET
+БОМ RFQ
Part B

MMBFJ175LT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
2714 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - JFET
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBFJ176 MMBFJ175LT1G
Part Status Active Active
Base Product Number MMBFJ1 -
FET Type P-Channel P-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 10 nA -
Rds(on) 250 Ohms -
Power - Max 225 mW 225 mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) - 30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) - 7 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id - 3 V @ 10 nA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 11pF @ 10V (VGS)
Rds On - 125 Ohms
Compare RFQ