MMBFJ175LT1G vs MMBFJ176

Это подробное сравнение MMBFJ176 и MMBFJ175LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MMBFJ176

+БОМ

7683 ПКС | Онсеми
MMBFJ175LT1G

+БОМ

2714 ПКС | Онсеми
Пакет SOT-23-3
Описание JFET P-CH 30V SOT23-3 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
Part Status Active -
Base Product Number MMBFJ1 -
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 10 nA -
Resistance - RDS(On) 250 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
ProductStatus - Active
FETType - P-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) - 30 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) - 7 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id - 3 V @ 10 nA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 11pF @ 10V (VGS)
Resistance-RDS(On) - 125 Ohms
Power-Max - 225 mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Модель сравнения : MMBFJ176 MMBFJ175LT1G

+БОМ RFQ