MMBFJ177 vs MMBFJ309

Это подробное сравнение MMBFJ177 и MMBFJ309 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ177

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
4476 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - JFET
+БОМ RFQ
Part B

MMBFJ309

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
8736 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBFJ177 MMBFJ309
Supplier - onsemi,Flip Electronics,Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type - N-Channel JFET
Frequency - 450MHz
Gain - 12dB
Voltage - Test - 10 V
Current Rating (Amps) - 30mA
Noise Figure - 3dB
Current - Test - 10 mA
Voltage - Rated - 25 V
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 800 mV @ 10 nA -
Rds On 300 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Compare RFQ