MMBFJ112 vs MMBFJ177LT1G

Это подробное сравнение MMBFJ112 и MMBFJ177LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ112

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 3055 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - JFET

+БОМ RFQ

Part B

MMBFJ177LT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4949 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - JFET

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MMBFJ112	MMBFJ177LT1G
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS)	35 V	30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0)	5 mA @ 15 V	1.5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id	1 V @ 1 µA	800 mV @ 10 nA
Rds On	50 Ohms	300 Ohms
Power - Max	350 mW	225 mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	11pF @ 10V (VGS)

Compare RFQ