MMBFJ112 vs MMBFJ309LT1G

Это подробное сравнение MMBFJ112 и MMBFJ309LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ112

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
3055 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - JFET
+БОМ RFQ
Part B

MMBFJ309LT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
3774 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBFJ112 MMBFJ309LT1G
Part Status Active Active
FET Type N-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 35 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 5 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 1 V @ 1 µA -
Rds On 50 Ohms -
Power - Max 350 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Transistor Type - N-Channel JFET
Current Rating (Amps) - 30mA
Voltage - Rated - 25 V
Compare RFQ