MMBT3906WT1G vs MMBT3906

Это подробное сравнение MMBT3906WT1G и MMBT3906 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT3906WT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 5464 ПКС
Package: SOT-323
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

MMBT3906

STМикроэлектроника

Lifecycle: Active
Stock: 2064 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MMBT3906WT1G	MMBT3906
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	200 mA	200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	40 V	40 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	400mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	100 @ 10mA, 1V	100 @ 10mA, 1V
Power - Max	150 mW	350 mW
Frequency - Transition	250MHz	250MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ