MMBT5401LT1G vs MMBT5551

Это подробное сравнение MMBT5401LT1G и MMBT5551 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5401LT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
5373 ПКС
Package
SOT-23
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

MMBT5551

Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
3024 ПКС
Series
Транзисторы - биполярные (BJT) - однополярные транзисторы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBT5401LT1G MMBT5551
Part Status Active Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 500 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V -
Power - Max 300 mW 350 mW
Frequency - Transition 300MHz 300MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max) - 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) - 160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic - 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) - 50µA
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce - 80 @ 10mA, 5V
Packaging - Tape & Reel (TR)
Compare RFQ