MMBTA14LT1G vs MMBTA05LT3G

Это подробное сравнение MMBTA14LT1G и MMBTA05LT3G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBTA14LT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 9690 ПКС
Package: TO-236-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

MMBTA05LT3G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 8468 ПКС
Package: TO-236-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MMBTA14LT1G	MMBTA05LT3G
Supplier	onsemi	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN - Darlington	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	300 mA	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	30 V	60 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1.5V @ 100µA, 100mA	250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	100nA (ICBO)	100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	20000 @ 100mA, 5V	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	225 mW	225 mW
Frequency - Transition	125MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ