MMBTA64LT1G vs MMBTA56LT1G

Это подробное сравнение MMBTA64LT1G и MMBTA56LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBTA64LT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 1290 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

MMBTA56LT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 3861 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MMBTA64LT1G	MMBTA56LT1G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	PNP - Darlington	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	500 mA	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	30 V	80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1.5V @ 100µA, 100mA	250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	100nA (ICBO)	100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	20000 @ 100mA, 5V	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	225 mW	225 mW
Frequency - Transition	125MHz	50MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ