MMBTH10LT1G vs MMBTH81

Это подробное сравнение MMBTH81 и MMBTH10LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MMBTH81

+БОМ

3557 ПКС | Онсеми
MMBTH10LT1G

+БОМ

5390 ПКС | Онсеми
Пакет SOT23-3 SOT23-3
Описание RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
ProductStatus Active Active
TransistorType PNP NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 20V 25V
Frequency-Transition 600MHz 650MHz
Power-Max 225mW 225mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 60 @ 5mA, 10V 60 @ 4mA, 10V
Current-Collector(Ic)(Max) 50mA -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : MMBTH81 MMBTH10LT1G

+БОМ RFQ