MT40A512M16LY-062E:E vs MT40A2G4WE-075E:D

Это подробное сравнение MT40A512M16LY-062E:E и MT40A2G4WE-075E:D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MT40A512M16LY-062E:E

+БОМ

7583 ПКС | Компания Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-075E:D

+БОМ

4946 ПКС | Компания Micron Technology Inc.
Пакет TFBGA-78
Описание IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
ProductStatus - Obsolete
MemoryType - Volatile
MemoryFormat - DRAM
Technology SDRAM - DDR4 SDRAM - DDR4
MemorySize - 8Gb (2G x 4)
MemoryInterface - Parallel
ClockFrequency - 1.33 GHz
Voltage-Supply - 1.14V ~ 1.26V
OperatingTemperature - 0°C ~ 95°C (TC)
MountingType - Surface Mount
Part Status Obsolete -
Base Product Number MT40A512M16 -
DigiKey Programmable Not Verified -
Memory Organization 512M x 16 -
Packaging Tray -
Модель сравнения : MT40A512M16LY-062E:E MT40A2G4WE-075E:D

+БОМ RFQ