MURS110T3G vs MURS160-E3/52T

Это подробное сравнение MURS110T3G и MURS160-E3/52T предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MURS110T3G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 1723 ПКС
Package: SMB-2
Series: Диоды - Исправители - Single

+БОМ RFQ

Part B

MURS160-E3/52T

Vishay General Semiconductor - Диоды

Lifecycle: Active
Stock: 5737 ПКС
Package: DO-214AA
Series: Диоды - Исправители - Single

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MURS110T3G	MURS160-E3/52T
Part Status	Active	Active
Diode Type	Standard	Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100 V	600 V
Current - Average Rectified(Io)	1A	2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	875 mV @ 1 A	1.25 V @ 1 A
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	35 ns	75 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	2 µA @ 100 V	5 µA @ 600 V
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Capacitance @ Vr F	-	10pF @ 4V, 1MHz

Compare RFQ