NCV33072DR2G vs NCV33152DR2

Это подробное сравнение NCV33072DR2G и NCV33152DR2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NCV33072DR2G

+БОМ

3713 ПКС | Онсеми
NCV33152DR2

+БОМ

4867 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration - Low-Side
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 2
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 6.1V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1.5A, 1.5A
InputType - Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ) - 36ns, 32ns
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType J-FET -
NumberofCircuits 2 -
SlewRate 13V/µs -
GainBandwidthProduct 4.5 MHz -
Current-InputBias 100 nA -
Voltage-InputOffset 1 mV -
Current-Supply 1.9mA (x2 Channels) -
Current-Output/Channel 30 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 44 V -
Модель сравнения : NCV33072DR2G NCV33152DR2

+БОМ RFQ