NE5532DR vs NE5534DR2G

Это подробное сравнение NE5532DR и NE5534DR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NE5532DR

+БОМ

2043 ПКС | Техасские инструменты
NE5534DR2G

+БОМ

2093 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8
Описание IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 1
SlewRate 9V/µs 13V/µs
GainBandwidthProduct 10 MHz 10 MHz
Current-InputBias 200 nA 500 nA
Voltage-InputOffset 500 µV 500 µV
Current-Supply 8mA (x2 Channels) 4mA
Current-Output/Channel 38 mA 38 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 10 V 6 V
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V 40 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : NE5532DR NE5534DR2G

+БОМ RFQ