NTHD4102PT1G vs NTHD4401PT1

Это подробное сравнение NTHD4102PT1G и NTHD4401PT1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTHD4102PT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2073 ПКС
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

NTHD4401PT1

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4322 ПКС
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NTHD4102PT1G	NTHD4401PT1
Supplier	-	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 P-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.9A	2.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs	80mOhm @ 2.9A, 4.5V	155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V	6nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	750pF @ 16V	300pF @ 10V
Power - Max	1.1W	1.1W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ