NTJD4105CT1G vs NTJD4401NT1 Сравнение

Это подробное сравнение NTJD4105CT1G и NTJD4401NT1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NTJD4105CT1G

+БОМ

4611 ПКС | Онсеми
NTJD4401NT1

+БОМ

4174 ПКС | Онсеми
Пакет SOT-363 SC-88
Описание MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V, 8V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 630mA, 775mA 630mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 46pF @ 20V 46pF @ 20V
Power - Max 270mW 270mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : NTJD4105CT1G NTJD4401NT1

+БОМ RFQ