NTJD4001NT1G vs NTJD4401NT1G

Это подробное сравнение NTJD4001NT1G и NTJD4401NT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTJD4001NT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 7623 ПКС
Package: SC-88
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

NTJD4401NT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2877 ПКС
Package: SC-88
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NTJD4001NT1G	NTJD4401NT1G
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	250mA	630mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.5Ohm @ 10mA, 4V	375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 100µA	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	1.3nC @ 5V	3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	33pF @ 5V	46pF @ 20V
Power - Max	272mW	270mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ