NTTFS4C06NTAG vs NTTFS5116PLTAG

Это подробное сравнение NTTFS4C06NTAG и NTTFS5116PLTAG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTTFS4C06NTAG

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 5204 ПКС
Package: WDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

NTTFS5116PLTAG

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 6525 ПКС
Package: WDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NTTFS4C06NTAG	NTTFS5116PLTAG
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	11A (Ta), 67A (Tc)	5.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	4.2mOhm @ 30A, 10V	52mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.2V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V	25 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	3366 pF @ 15 V	1258 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)	810mW (Ta), 31W (Tc)	3.2W (Ta), 40W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ