NVMFD5C466NLT1G vs NVMFD5877NLT3G

Это подробное сравнение NVMFD5C466NLT1G и NVMFD5877NLT3G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NVMFD5C466NLT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 6212 ПКС
Package: TDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

NVMFD5877NLT3G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2792 ПКС
Package: TDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NVMFD5C466NLT1G	NVMFD5877NLT3G
Supplier	-	onsemi
Series	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active	Not For New Designs
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V	60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	14A (Ta), 52A (Tc)	6A
Rds On(Max) @ Id Vgs	7.4mOhm @ 10A, 10V	39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.2V @ 30µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	7nC @ 4.5V	20nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	997pF @ 25V	540pF @ 25V
Power - Max	3W (Ta), 40W (Tc)	3.2W
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ