NVMFS5C404NT1G vs NVMFS4C01NT1G

Это подробное сравнение NVMFS5C404NT1G и NVMFS4C01NT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NVMFS5C404NT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2191 ПКС
Package: SO-8FL-4
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

NVMFS4C01NT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4064 ПКС
Package: SO-8FL-4
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NVMFS5C404NT1G	NVMFS4C01NT1G
Series	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	378A (Tc)	49A (Ta), 319A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	0.7mOhm @ 50A, 10V	0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	2.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	128 nC @ 10 V	139 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	8400 pF @ 25 V	10144 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	3.9W (Ta), 200W (Tc)	3.84W (Ta), 161W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ