SI2308BDS-T1-GE3 vs SI2301-TP

Это подробное сравнение SI2308BDS-T1-GE3 и SI2301-TP предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 3090 ПКС
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET

+БОМ RFQ

Part B

SI2301-TP

Микрокоммерческая компания

Lifecycle: Active
Stock: 3274 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	SI2308BDS-T1-GE3	SI2301-TP
Series	TrenchFET®	-
Part Status	Obsolete	Active
Base Product Number	SI2308	-
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Tc)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	156mOhm @ 1.9A, 10V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.8 nC @ 10 V	-
Vgs (Max)	±20V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	190 pF @ 30 V	-
Power Dissipation (Max)	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)	1.25W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	2.8A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	-	±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	880 pF @ 6 V

Compare RFQ