SI2304BDS-T1-E3 vs SI2301CDS-T1-E3

Это подробное сравнение SI2304BDS-T1-E3 и SI2301CDS-T1-E3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2304BDS-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
6443 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

SI2301CDS-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
2959 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification SI2304BDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.6A (Ta) 3.1A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 70mOhm @ 2.5A, 10V 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 4 nC @ 5 V 10 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 225 pF @ 15 V 405 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta) 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ