SI2301-TP vs SI2301CDS-T1-GE3

Это подробное сравнение SI2301-TP и SI2301CDS-T1-GE3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2301-TP

Микрокоммерческая компания

Lifecycle: Active
Stock: 3274 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

SI2301CDS-T1-GE3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 6750 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	SI2301-TP	SI2301CDS-T1-GE3
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.8A (Ta)	3.1A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	120mOhm @ 2.8A, 4.5V	112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	14.5 nC @ 4.5 V	10 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±8V	±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	880 pF @ 6 V	405 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)	860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	-	TrenchFET®

Compare RFQ