SI2300DS-T1-GE3 vs SI2305-TP

Это подробное сравнение SI2300DS-T1-GE3 и SI2305-TP предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2300DS-T1-GE3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 1897 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

SI2305-TP

Микрокоммерческая компания

Lifecycle: Active
Stock: 6247 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	SI2300DS-T1-GE3	SI2305-TP
Series	TrenchFET®	-
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	8 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3.6A (Tc)	4.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	2.5V, 4.5V	4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	68mOhm @ 2.9A, 4.5V	90mOhm @ 2A, 1.8V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	900mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V	15 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±12V	±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	320 pF @ 15 V	-
Power Dissipation (Max)	1.1W (Ta), 1.7W (Tc)	350mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ