SI2301BDS-T1-E3 vs SI2305-TP

Это подробное сравнение SI2301BDS-T1-E3 и SI2305-TP предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2301BDS-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
2067 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

SI2305-TP

Микрокоммерческая компания

Lifecycle
Active
Stock
6247 ПКС
Package
SOT-23
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification SI2301BDS-T1-E3 SI2305-TP
Series TrenchFET® -
Part Status Active Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 8 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.2A (Ta) 4.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 100mOhm @ 2.8A, 4.5V 90mOhm @ 2A, 1.8V
Vgs(th)(Max) @ Id 950mV @ 250µA 900mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 375 pF @ 6 V -
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ