SI2309CDS-T1-E3 vs SI2305-TP

Это подробное сравнение SI2309CDS-T1-E3 и SI2305-TP предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2309CDS-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
7597 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

SI2305-TP

Микрокоммерческая компания

Lifecycle
Active
Stock
6247 ПКС
Package
SOT-23
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification SI2309CDS-T1-E3 SI2305-TP
Series TrenchFET® -
Part Status Active Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 8 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.6A (Tc) 4.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 345mOhm @ 1.25A, 10V 90mOhm @ 2A, 1.8V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 900mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 4.1 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 210 pF @ 30 V -
Power Dissipation (Max) 1W (Ta), 1.7W (Tc) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ