SI2319DS-T1-E3 vs SI2319DDS-T1-GE3

Это подробное сравнение SI2319DS-T1-E3 и SI2319DDS-T1-GE3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2319DS-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 5584 ПКС
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET

+БОМ RFQ

Part B

SI2319DDS-T1-GE3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 7694 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	SI2319DS-T1-E3	SI2319DDS-T1-GE3
Series	TrenchFET®	TrenchFET® Gen III
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	75mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	19 nC @ 10 V
Vgs(Max)	-	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	650 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)	750mW (Ta)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	SI2319	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82mOhm @ 3A, 10V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V	-
Vgs (Max)	±20V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	470 pF @ 20 V	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

Compare RFQ