SI4946BEY-T1-E3 vs SI4947ADY-T1-E3

Это подробное сравнение SI4946BEY-T1-E3 и SI4947ADY-T1-E3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI4946BEY-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 4646 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

SI4947ADY-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 9448 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	SI4946BEY-T1-E3	SI4947ADY-T1-E3
Supplier	-	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®	TrenchFET®
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	6.5A	3A
Rds On(Max) @ Id Vgs	41mOhm @ 5.3A, 10V	80mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	25nC @ 10V	8nC @ 5V
Power - Max	3.7W	1.2W
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	840pF @ 30V	-

Compare RFQ