SI7469DP-T1-E3 vs SI7461DP-T1-E3

Это подробное сравнение SI7469DP-T1-E3 и SI7461DP-T1-E3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI7469DP-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
6773 ПКС
Package
PowerPAK-SO-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

SI7461DP-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
7393 ПКС
Package
PowerPAK-SO-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification SI7469DP-T1-E3 SI7461DP-T1-E3
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 28A (Tc) 8.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 25mOhm @ 10.2A, 10V 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4700 pF @ 40 V -
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) 1.9W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ