STF10N105K5 vs STF10LN80K5

Это подробное сравнение STF10N105K5 и STF10LN80K5 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STF10N105K5

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
5541 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET
Part B

STF10LN80K5

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
1313 ПКС
Package
TO-220FP
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STF10N105K5 STF10LN80K5
Series MDmesh™ K5 MDmesh™
Part Status Active Active
Base Product Number STF10 -
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1050 V 800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V -
Vgs (Max) 30V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 545 pF @ 100 V -
Power Dissipation (Max) 30W (Tc) 25W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Packaging Tube -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 630mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 15 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 427 pF @ 100 V