STGW40H65DFB vs STGW45NC60VD

Это подробное сравнение STGW40H65DFB и STGW45NC60VD предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

STGW40H65DFB

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
29589 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

STGW45NC60VD

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
4971 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STGW40H65DFB STGW45NC60VD
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
Part Status Active Obsolete
IGBT Type Trench Field Stop -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 90 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 220 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 40A 2.4V @ 15V, 30A
Power - Max 283 W 270 W
Switching Energy 498µJ (on), 363µJ (off) 333µJ (on), 537µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 210 nC 126 nC
Td(on / off) @ 25°C 40ns/142ns 33ns/178ns
Test Condition 400V, 40A, 5Ohm, 15V 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 62 ns 45 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - PowerMESH™
Compare RFQ