STGW40V60DF
STМикроэлектроника
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 7067 ПКС
- Package
- TO-247
- Series
- Транзисторы - ИГБТ - Single
Это подробное сравнение STGW40V60DF и STGW45NC60VD предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
STМикроэлектроника
STМикроэлектроника
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | STGW40V60DF | STGW45NC60VD |
|---|---|---|
| Supplier | - | STMicroelectronics |
| Series | - | PowerMESH™ |
| Part Status | Active | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 600 V | 600 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 80 A | 90 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 160 A | 220 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.3V @ 15V, 40A | 2.4V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 283 W | 270 W |
| Switching Energy | 456µJ (on), 411µJ (off) | 333µJ (on), 537µJ (off) |
| Input Type | Standard | Standard |
| Gate Charge | 226 nC | 126 nC |
| Td(on / off) @ 25°C | 52ns/208ns | 33ns/178ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V | 390V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 41 ns | 45 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |
| IGBT Type | Trench Field Stop | - |