STGW40V60DF vs STGW45NC60VD

Это подробное сравнение STGW40V60DF и STGW45NC60VD предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGW40V60DF

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
7067 ПКС
Package
TO-247
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
Part B

STGW45NC60VD

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
4971 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STGW40V60DF STGW45NC60VD
Supplier - STMicroelectronics
Series - PowerMESH™
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 90 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 220 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.3V @ 15V, 40A 2.4V @ 15V, 30A
Power - Max 283 W 270 W
Switching Energy 456µJ (on), 411µJ (off) 333µJ (on), 537µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 226 nC 126 nC
Td(on / off) @ 25°C 52ns/208ns 33ns/178ns
Test Condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 41 ns 45 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop -