STPSC20H065CW
STМикроэлектроника
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 7703 ПКС
- Package
- TO-247-3
- Series
- Диоды - Исправители - Массивы
Это подробное сравнение STPSC20H065CW и STPSC8H065D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
STМикроэлектроника
STМикроэлектроника
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | STPSC20H065CW | STPSC8H065D |
|---|---|---|
| Part Status | Active | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | - | 8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 10 A | 1.75 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V | 80 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | - | 414pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode | - |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 10A | - |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C | - |