STPSC4H065DI vs STPSC1006D

Это подробное сравнение STPSC1006D и STPSC4H065DI предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
STPSC1006D

+БОМ

15569 ПКС | STМикроэлектроника
STPSC4H065DI

+БОМ

21321 ПКС | STМикроэлектроника
Пакет TO-220-2 TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Описание DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
ProductStatus Active Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 600 V 650 V
Current-AverageRectified(Io) 10A 4A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.75 V @ 10 A 1.75 V @ 4 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns -
Current-ReverseLeakage@Vr 300 µA @ 600 V 40 µA @ 650 V
Capacitance@VrF 650pF @ 0V, 1MHz -
MountingType Through Hole Through Hole
Модель сравнения : STPSC1006D STPSC4H065DI

+БОМ RFQ