TC4426EPA vs TC4429EPA

Это подробное сравнение TC4426EPA и TC4429EPA предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
TC4426EPA

+БОМ

3009 ПКС | Технология микрочипов
TC4429EPA

+БОМ

5732 ПКС | Технология микрочипов
Пакет PDIP-8 PDIP-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side Low-Side
ChannelType Independent Single
NumberofDrivers 2 1
GateType N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.4V 0.8V, 2.4V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.5A, 1.5A 6A, 6A
InputType Inverting Inverting
Rise/FallTime(Typ) 19ns, 19ns 25ns, 25ns
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Модель сравнения : TC4426EPA TC4429EPA

+БОМ RFQ