TISP6NTP2CDR-S vs TISP61089BDR

Это подробное сравнение TISP6NTP2CDR-S и TISP61089BDR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
TISP6NTP2CDR-S

+БОМ

4710 ПКС | Компания Bourns Inc.
TISP61089BDR

+БОМ

8630 ПКС | Компания Bourns Inc.
Пакет SOIC-8
Описание SURGE PROT THYRIST 155VDUAL SLIC THYRISTOR 170V 30A 8SOIC
Supplier - Bourns Inc.
ProductStatus Active Obsolete
Voltage-Breakover - 64V
Voltage-OffState - 170V
Current-PeakPulse(10/1000µs) - 30 A
Current-Hold(Ih) - 150 mA
NumberofElements - 2
Capacitance - 100pF
MountingType Surface Mount Surface Mount
Voltage-Clamping -112V -
Technology Mixed Technology -
NumberofCircuits 4 -
Applications SLIC -
Модель сравнения : TISP6NTP2CDR-S TISP61089BDR

+БОМ RFQ